DRO Simülasyonu

      Yorum yok DRO Simülasyonu

DRO(dielectric resonance/resonator oscillator) olarak bilinen osilatörler X-bant ve üst bantlarda yaygın olarak kullanılan osilatörlerdendir. Bir transistör bir de dielektrik malzeme ile baskı devre tekniğiyle DRO yapmak mümkündür, bu nedenle maliyeti düşüktür, 10$ lık LNB lerin içinde bile 2 adet DRO görmek mümkündür.
Bazı uygulamalarda frekans kararlılığı çok önemli olmayabilir, bu durumda bir “free running” DRO iş görecektir, <5$ satılan “Microwave Motion Detector” lerde bu tip bir DRO vardır. Bakıldığında frekans 10.525GHZ etrafında gezmektedir ancak em dalganın gitme gelme süresi çok kısa olduğundan Doppler ölçümü bu kararsızlıktan çok etkilenmemektedir.

Normal bir tasarım süreci aşağıdaki gibi işlemektedir:
“Free running” DRO>Voltaj Kontrollü DRO> Faz Kilitli DRO
En nihayetinde “phase locked” bir DRO istenir çünkü sistemdeki diğer LO lar ile senkron çalışılması istenir.  DRO tasarımında “negative resistance” ve “feedback” tipi iki çeşit tasarımla karşılaşmaktayız. Bu türlerden “feedback” tipi seçilip CST de bazı simülasyonlar yapıldı, DRO nun kritik kısmı dielektrik kuplajın olduğu kısımdır, bu kısımda RF yollar ve arada bir dielektrik malzeme vadır(feedback kolu). Aşağıda DRO için bir ön çalışma olabilecek iki düz yol arasına yerleştirilmiş dielektrik malzeme ile kurulan bir kuplaj görülmektedir.
Rezonatör kalitesi osilatörün kalitesini belirleyen en önemli etkendir. Rezonatör ne kadar kaliteli ise faz gürültüsü o kadar az olur.

CST de DRO çalışmasından bazı video ve grafikler.

s11

geometry

Bir cevap yazın

E-posta hesabınız yayımlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir